项目编号：G2110
G2110第三代半导体碳化硅外延设备
发布时间：2021-12-21
项目介绍
本项目针对行业和市场SiC外延设备存在的各种问题，提出第三代半导体碳化硅外延设备单片和多片机的研发目标，并就碳化硅外延设备技术方案和项目目标进行了充分全面的论证和规划。本项目基于超高温CVD技术核心，采用热壁式垂直气流反应模式，使用自有知识产权技术，攻克SiC外延设备核心技术：喷淋头进气技术、高速旋转、高温加热、腔体防沉积技术、高温取片技术等，全面解决目前碳化硅外延设备的痛点问题，并逐步导入AI控制技术，进一步提高工艺稳定性和自动化程度，可以满足未来无人工厂的需求。该设备将填补量产型碳化硅外延设备的国内空白，为实现我国第三代半导体产业弯道超车做出贡献。
项目将打造以姑苏实验室为基地，世界领先的第三代半导体关键装备—SiC外延设备和工艺技术的研发和产业化平台。
苏公网安备 32059002003194号