项目编号：G2101
G2101分子束外延/金属有机物化学气相沉积直连设备研发
发布时间：2021-12-17
项目介绍
本项目将开发目前国际上最先进的MBE-MOCVD直连设备。目前，这种MBE方法生长和MOCVD生长切换是在两个分离设备上分别进行外延生长，这不可避免地导致材料表面氧化、表面缺陷和杂质吸附增加，从而影响材料或器件质量。实现MBE/MOCVD直连可以避免这些问题，充分发挥MBE和MOCVD各自的技术和成本优势，提升材料和器件性能指标，提高产品良率，同时可以实现硅锗/化合物、金属/半导体或者二维异质材料等新功能材料集成，为开发新器件新集成等应用研究和新材料新物理现象等基础研究提供一个高端设备平台。
项目的实施将对高端外延设备的整合强化起到关键的促进作用，并为未来材料外延向更广更深维度的推进提供坚实的产业链基础，使我国能够在未来拥有广阔前景的化合物半导体市场占得先机，避免出现当前以硅半导体为基础的微电子产业中多项核心装备的卡脖子问题，进一步增强外延设备的产业链供应链自主可控能力。
苏公网安备 32059002003194号