G2118 “晶圆级微透镜阵列芯片研发”科研进展
发布时间：2021-10-08
1、匀胶均匀性的提高
根据目标面型参数（曲率半径、拱高等），计算出所需光刻胶的体积和光刻胶厚度。通过精确控制胶厚，优化匀胶速率，匀胶时间等关键因素，精确控制光刻胶的厚度，在15-20μm的胶厚范围内，实现了6inch晶圆光刻胶片内均匀性小于0.8μm。
匀胶过程工艺中，通过优化滴胶，高速旋转以及干燥(溶剂挥发)几个关键工艺，把光刻胶滴注到基片表面上，通过高速旋转把光刻胶铺展到基片上形成薄层，完成了光刻胶的旋转涂布。在工艺探索中，我们根据胶自身的浓度特点，结合匀胶机起始速度，加速度，高转速时间，低转速时间等关键因素，最大程度的降低了光刻胶的晶圆级均匀性。与此同时，采用膜厚仪测试方法，对整个6 inch晶圆的光刻胶厚度均匀性进行了测试，最大和最小值控制在0.8um以下（15-20um范围）。
2、面型测试和关键面型参数提取
通过调研，确定了白光干涉测试方法。利用白光干涉测试技术，完成了对标样硅透镜的面型测试，获得了硅透镜的三维坐标数据。为了获得透镜的关键面型参数，我们基于matlab软件，对三维坐标数据进行了处理，提取出了二维面型数据。通过迭代方法，拟合出了最接近实际面型的参数（曲率半径、非球系数等），初步实现了透镜的面型表征。
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