王新朋
清华大学材料科学与工程系本硕毕业。2007年获得新加坡国立大学电子与计算机工程博士学位。2007年至2010年在比利时微电子中心担任研发工程师，主要负责阻变存储器、相变存储器、金属-绝缘体-金属电容器项目。2010年至2018年在新加坡微电子研究所担任项目负责人，负责新型存储器、环绕栅极晶体管、多个阻变存储器项目的开发。2018年创立南京原磊纳米材料有限公司 ，负责原子层沉积技术应用领域及工艺开发。申请/授权专利 11 项；在业内顶级国际会议（IEDM 和 VLSI）发表文章多 于 10 篇。国际电气和电子工程协会（IEEE）会员，长期担任IEEE所属期刊（EDL和TED）的审稿人。
2020年11月9日加入实验室，任高级技术专家，电子与计算机工程，原子层沉积技术应用领域及工艺开发等方向
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