陈贵峰

2009年河北工业大学获材料物理与化学工学博士,研究方向半导体材料。2004年进入河北工业大学材料科学与工程学院工作。2011年晋升副教授,2017年晋升教授。中国电子学会电子材料学分会委员兼副秘书长、天津市真空学会理事兼副秘书长。

研究领域:半导体光电材料。研究方向包括:

1、III-V族氮化物材料自支撑衬底的绿色工业化制备方法。III-V族氮化物半导体在光电子器件、光电集成、超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上有着重要应用。目前,国内外广泛采用的氢化物气相外延方法制备,制备过程涉及到大量的环境污染。另外,目前国内市场的自支撑衬底多数依赖进口,使得新的绿色III-V族氮化物材料自支撑衬底成为本领域科学研究的关键问题。我们的研究方向着重于III-V族氮化物材料自支撑衬底的绿色制备工艺及产品质量提升等方面。

2、氮化镓基光电化学器件在人工光合作用中的应用研究。人工光合作用是利用绿色的太阳能来分解水产氢、降解有机污染物和还原二氧化碳,解决环境污染问题的一种有效方法。GaN是为数不多可同时满足二氧化碳还原和水氧化条件的光催化材料,其在光制氢和二氧化碳减排方面有着巨大的应用前景。我们以高效氮化镓基光电化学器件的研制为目标,制备光谱利用率高、电流匹配并且稳定性好的光电化学器件,实现二氧化碳还原的高效人工光合作用。

3、纳米量子点太阳电池的研究。针对传统太阳电池存在的光电转换效率极限的问题,将纳米技术应用于化合物薄膜太阳电池,利用一种化学手段制备出具有特殊物理效应的材料,应用到光伏器件中去,探索新型、高效太阳电池结构体系。

4、集成电路用单晶硅材料的制备及性能研究。


2021年5月1日加入实验室,任G2105项目组高级技术专家,半导体材料方向