董建荣
1996年获得中科院半导体所博士学位，现任中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，研究员、博士生导师。多年来一直从事GaAs和InP基化合物半导体材料MOCVD生长、材料表征及光电器件的研究工作，包括半导体量子阱激光器、红外探测器和化合物半导体多结光伏电池。承担了科技部国际合作项目、973课题、自然科学基金项目和中科院院地合作项目等多个项目。在国际期刊上发表论文六十多篇，拥有发明专利三十多项。
2020年4月15日加入实验室，任G2101项目组高级技术专家，半导体物理与半导体器件方向，包括GaAs、InP基材料MOCVD生长及光伏器件和激光器等研究
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